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IGC090S20S1XTMA1供应商
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IGC090S20S1XTMA1
- 制造厂商：Cypress（中文名：赛普拉斯，已被英飞凌INFINEON收购）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:PG-TSON-6-2
- 技术参数：200 V G3 IN PQFN 3X5, 6.7 M,DSC
- （专注销售Cypress电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
- （您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购）
IGC090S20S1XTMA1参数详情：
- 型号:IGC090S20S1XTMA1
- 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
- 封装:PG-TSON-6-2
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:200 V G3 IN PQFN 3X5, 6.7 M,DSC
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- FET 类型:N 通道
- 技术:GaNFET（氮化镓）
- 漏源电压（Vdss）:200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Ta），46A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 毫欧 @ 10A，5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.9V @ 5mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.5 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±6.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:3.3W（Ta），45W（Tc）
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PG-TSON-6-2
- 封装/外壳:6-PowerTDFN
- IGC090S20S1XTMA1的官网价格：None，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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