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IPI041N12N3 G供应商
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IPI041N12N3 G
- 制造厂商:Cypress(中文名:赛普拉斯,已被英飞凌INFINEON收购)
- 类别封装:单端场效应管,PG-TO262-3
- 技术参数:MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3
- (专注销售Cypress电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
IPI041N12N3 G参数详情:
- Infineon英飞凌公司完整型号:IPI041N12N3 G
- 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
- 描述:MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3
- 系列:OptiMOS
- FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 功能:标准
- 漏源极电压 (Vdss):120V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):120A(Tc)
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):4.1 毫欧 @ 100A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 270A
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):211nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):13800pF @ 60V
- 功率 - 最大值:300W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,IPak,TO-262AA
- 供应商器件封装:PG-TO262-3
- IPI041N12N3 G的官网价格:19.73,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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